Расчет распределения примеси в кремнии
Заказать уникальную курсовую работу- 14 14 страниц
- 2 + 2 источника
- Добавлена 17.04.2018
- Содержание
- Часть работы
- Список литературы
- Вопросы/Ответы
Введение 3
1 Интегральный биполярный транзистор 4
2 Расчет распределения примеси в базовой области биполярного транзистора. 7
3 Расчет распределения примеси в эмиттерной области биполярного транзистора 9
4 Определение ширины базы биполярного транзистора 11
Заключение 12
Приложение 1 13
Список использованных источников 14
Условия проведения диффузии соответствуют решению, представляемому уравнениемN(x,t)= N0·erfc(z), гдеNo - поверхностная концентрация примеси, близкая к значениям предельной твердой растворимости примеси в данном полупроводниковом материале (1019 см-3).erfc(z) – дополнительная функция ошибок.Используя приложение 1, находим коэффициент диффузии донорной примеси при температуре Т2= 1300К: (1/Т1 = 0.769 1/K).Заполняем расчетную таблицу 3.1. Во второй столбецзаписываем выбранные значения x (см), в третий -.Затем находим значения erfc(z).Таблица 3.1 - Результаты расчета распределения донорной примеси в кремнииx,мкмx,смerfc(z)N(x,t),см-312345000110190.40.000041.3610.0545.429∙10170.70.000072.3817.575∙10-47.575∙10151.00.00013.4021.5∙10-61.5∙10131.40.000144.7631.631∙10-111.631∙1081.80.000186.1244.707∙10-1847.0712.20.000227.4853.507∙10-263.507∙10-72.50.000258.5052.528∙10-332.528∙10-142.80.000289.5262.301∙10-412.301∙10-223.20.0003210.8871.741∙10-531.741∙10-34На верхнем графике рисунка4.1Nэ(x) - примесный профиль эмиттерной области.4 Определение ширины базы биполярного транзистораЭпитаксиальный слой n-типа, в который проводят диффузию, имеет концентрацию примеси . Окончательный график распределения примеси (суммы донорной и акцепторной примеси в каждой области транзистора) приведен на рисунке4.1 (нижний график).Из графика видно, что глубина залегания эмиттерного и коллекторного переходов равны соответственно 0.473 мкм и 1.355 мкм, а ширина базы транзистораравна 1.355-0.473=0.882 мкм.Рисунок 4.1 - Графики распределения примеси в биполярном транзисторе. По осям асцисс отложены значения xв мкм, а по осям ординат – значения концентраций в см-3.ЗаключениеВ процессе выполнения курсовой работы были рассмотрены следующие вопросы: современное развитие микроэлектроники, структура и создание интегрального биполярного транзистора. В результате выполнения курсовой работы былорассчитано распределение примеси после диффузионного легирования при создании кремниевого биполярного n-p-n-транзистора. Определены глубины залегания коллекторного, эмиттерного переходов, ширина базы транзистора. Приложение 1Температурная зависимость коэффициента диффузииСписок использованных источников1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2 изд., перераб. И доп.-М.:Лаборатория базовых знаний, 2001.-488 с.2.Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / Н.А.Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин.- М.:Радио и связь, 1991.-288 с.
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- 2 изд., перераб. И доп.-М.:Лаборатория базовых знаний, 2001.-488 с.
2.Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / Н.А.Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин.- М.:Радио и связь, 1991.-288 с.
Вопрос-ответ:
Как происходит расчет распределения примеси в кремнии?
Расчет распределения примеси в кремнии происходит на основе решения уравнения диффузии, которое описывает процесс диффузии примесей в материале. Уравнение учитывает начальную концентрацию примеси, время диффузии и глубину проникновения примеси.
Как происходит расчет распределения примеси в базовой области биполярного транзистора?
Расчет распределения примеси в базовой области биполярного транзистора также основывается на решении уравнения диффузии. Оно учитывает начальную концентрацию примеси в базе, время диффузии и глубину проникновения примеси. Расчет позволяет определить концентрацию примеси в различных точках базы.
Как происходит расчет распределения примеси в эмиттерной области биполярного транзистора?
Расчет распределения примеси в эмиттерной области биполярного транзистора также основывается на решении уравнения диффузии. Оно учитывает начальную концентрацию примеси в эмиттере, время диффузии и глубину проникновения примеси. Расчет позволяет определить концентрацию примеси в различных точках эмиттера.
Как определяется ширина базы биполярного транзистора?
Ширина базы биполярного транзистора определяется на основе расчета распределения примеси в базовой области. Путем анализа концентрации примеси в разных точках базы можно определить её ширину. Ширина базы играет важную роль в работе биполярного транзистора, влияя на его электрические характеристики.
Какие условия проведения диффузии соответствуют уравнению N x t = N0 erfc z?
Уравнение N x t = N0 erfc z соответствует условиям проведения диффузии, предполагая постоянную начальную концентрацию примеси N0, равную поверхностной концентрации примеси, и использование функции ошибок erfc(z) для описания распределения примеси по глубине материала.
Как происходит расчет распределения примеси в кремнии?
Расчет распределения примеси в кремнии осуществляется по формуле N(x,t) = N0 * erfc(z), где N(x,t) - концентрация примеси в точке x и времени t, N0 - поверхностная концентрация примеси, erfc(z) - функция ошибок, z - параметр, зависящий от x и t.
Как происходит расчет распределения примеси в базовой области биполярного транзистора?
Расчет распределения примеси в базовой области биполярного транзистора также осуществляется по формуле N(x,t) = N0 * erfc(z), где N(x,t) - концентрация примеси в базовой области, N0 - поверхностная концентрация примеси, erfc(z) - функция ошибок, z - параметр, зависящий от x и t.
Как происходит расчет распределения примеси в эмиттерной области биполярного транзистора?
Расчет распределения примеси в эмиттерной области биполярного транзистора также осуществляется по формуле N(x,t) = N0 * erfc(z), где N(x,t) - концентрация примеси в эмиттерной области, N0 - поверхностная концентрация примеси, erfc(z) - функция ошибок, z - параметр, зависящий от x и t.
Как определяется ширина базы биполярного транзистора?
Ширина базы биполярного транзистора определяется из расчета распределения примеси в базовой области. Ширина базы можно рассчитать по формуле W = sqrt(2 * D * t), где W - ширина базы, D - коэффициент диффузии, t - время диффузии.
Какие условия соответствуют проведению диффузии?
Условия проведения диффузии соответствуют решению уравнения N(x,t) = N0 * erfc(z), где N(x,t) - концентрация примеси в точке x и времени t, N0 - поверхностная концентрация примеси, erfc(z) - функция ошибок, z - параметр, зависящий от x и t.
Как можно рассчитать распределение примеси в кремнии?
Расчет распределения примеси в кремнии можно выполнить, используя уравнение N(x,t) = N0 * erfc(z), где N(x,t) - концентрация примеси в точке x спустя время t, N0 - поверхностная концентрация примеси, erfc(z) - функция ошибок. При этом условия проведения диффузии соответствуют данному уравнению.