Расчет элементов схемы генератора синусоидальных колебаний...

Для выполнения поставленной цели решались следующие задачи:-выбор и обоснование активного прибора n-p-n;-расчет электрического режима транзистора;-расчет колебательной системы-расчет элементовцепейпитанияПроводилось моделирование работы автогенератора. По результатам анализа переходных процессов удалось точно установить частоту генерирования автогенератора, а также уровень напряжения и форму выходного сигнала. По результатам анализа на нелинейные искажения – анализа Фурье удалось определить коэффициент нелинейных искажений выходного сигнала. Также был проведен температурный анализ с целью определения изменений или дрейфа наиболее важных параметров рабочего режима при изменении температуры окружающей среды. Оказалось, что дрейф наиболее важных параметров, определяющих режим работы автогенератора: напряжение эмиттер-база, коллекторный ток, и рассеиваемая транзистором мощность при изменениях температуры окружающей среды от 27 до 100 °Cнезначительны и не превышают 10%. Таким образом автогенератор демонстрирует стабильную работу.В результате выполнения курсового проекта был рассчитан автогенератор на биполярном n-p-n транзисторе, выполненный по схеме емкостной трехточки со следующими параметрами: напряжение питания автогенератора Uпит=17В, частота генерации fген=2 МГц. Результаты расчетов проверены и подтверждены с помощью моделирования в среде Multisim14. Список использованных источников1. Устройства формирования и генерирования сигналов: конспект лекций.Екатеринбург: УГТУ – УПИ, 2010, 149 с.2. Устройства формирования и генерирования сигналов: конспект лекций.Санкт-Петербург: ЛЭТИ, 2015 г.3. Балтийский федеральный университет им. И. Канта, лекции, 2015 г.4. https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/15068/PHILIPS/2N2222A.htmlПриложение 1. Схема электрическая принципиальнаяПриложение 2. Перечень элементовПозиционноеобозначениеНаименованиеКоличествоПримечаниеТранзисторыVT12N22221КонденсаторыC150нФ1C250нФ1C381.62 нФ1C4571.4 пФ1C58.162нФ1ИндуктивностиL136мкГн1L211.937мкГн1РезисторыR15.4 кОм1R23.2 кОм1R3100 Ом1R4390 Ом1Приложение 3. Справочные данные 2N2222Основные параметры 2N2222ОбозначениеПараметрУсловиямин.мах.Ед.VCBOнапряжениеколлектор-база2N2222A--6075VVVCEOНапряжение коллектор-эмиттер2N22222N2222A-3040VVICТок коллектора(DC)-800mAPtotМакс. Мощность рассеиванияTamb=25°C-500mWhFEКоэффициент усил.IC=10mA;VCE=10V75-fTГраничная частота2N22222N2222AIC=20mA;VCE=20V;f=100MHz250300--MHzMHztoffВремя выключенияICon=150mA;IBon=15mA;IBoff=15mA-250nsМаксимально допустимые эксплуатационные параметры 2N2222ОбозначениеПараметрУсловиямин.мах.Ед.VCBOнапряжениеколлектор-база2N22222N2222A--6075VVVCEOНапряжение коллектор-эмиттер--3040VVVEBOнапряжениеэмиттер-база2N22222N2222A--56VVICТок коллектора(DC)-800mAICMимпульсныйток коллектора-800mAIBMИмпульсный токбазы-200mAPtotМакс. Мощность рассеиванияTamb25C-500mWTcase25C-1.2WTstgТемпература хранения-65+150°CTjТемпература перехода-200°CTambрабочая температура окружающей среды-65+150°CТепловые характеристики 2N2222Обозначение ПараметрУсловиямин.мах.Rthj-aтепловое сопротивление от соединения до окружающей средыв открытом воздухе350К/ВтRthj-cтепловое сопротивление от соединения к корпусу146К/Вт