транзистор КП302Б
Заказать уникальную курсовую работу- 29 29 страниц
- 3 + 3 источника
- Добавлена 24.01.2021
- Содержание
- Часть работы
- Список литературы
1. Введение. 2
2. Полевые транзисторы 3
2.1. Классификация полевых транзисторов 4
3. Задание на курсовую работу и исходные данные 7
3.1. Полевой транзистор КП302 7
4. Расчет 8
4.1. Построение нагрузочной прямой. 8
4.2. Расчет делителя напряжения 10
4.3. Малосигнальные параметры 11
4.4. Рассчет элементов эквивалентной схемы транзистора: 12
4.5. Определим граничную и предельную частоты транзистора: 13
4.6. Оценка частотных зависимостей Y-параметров транзисторов: 14
4.7. Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току 16
4.8. Нагрузочная прямая транзистора по переменному току 16
4.9. Оценка нелинейных искажений 17
4.10. Графически определить динамические параметры 21
5. Заключение 23
6. Список литературы 24
7. Приложения 25
Параметры нелинейных элементов зависят от воздействующего на них тока или напряжения. Основным признаком нелинейных искажений является то, что им подвержено и гармоническое колебание. На этом основана простейшая оценка искажений с помощью коэффициента гармоник или коэффициента нелинейных искажений.Коэффициентом гармоник называется отношение действующего значения суммы высших гармоник выходного напряжения к действующему значению его первой гармоники:,где U1, U2, U3 и т.д. – действующие значения отдельных гармоник выходного напряжения. Этот коэффициент можно оценить методом пяти ординат по сквозной характеристике (называемый также методом Клина по имени его автора, который позволяет учесть влияние второй и третьей гармоник входного сигнала.,Где: - коэффициент второй гармоники; - коэффициент третьей гармоники, определяются графически. Для этого на сквозной характеристике отмечают пять точек, соответствующих точке покоя (нулевая амплитуда входного сигнала), наибольшей амплитуде входного сигнала UВХ Н (с учетом обеих полуволн), половине наибольшей амплитуды входного сигнала, т.е. (1/2)UВХ Н (тоже с учетом обеих полуволн). По этим точкам вычисляют значения отрезков , , , тогда ,.Для того, чтобы рассчитать нелинейные искажения достаточно определить 4 гармоники. Для этого на сквозной характеристике при 5-и значениях ωt получим значения 5-и ординат:Рисунок 12 К расчету нелинейных искаженийПо полученным значениям ординат определим Im1, Im2, Im3, Im4 и ΔIOK:Графически определить динамические параметрыРисунок 13Определение коэффиентов усиленияПо переменному напряжениюПо постоянному напряжениюдинамическая крутизна полевого транзистора:ЗаключениеВ данной курсовой работе были рассмотрены следующие вопросы:История изобретения и развитоия транзисторов, изучена классификация транзисторов.Рассмотрена конструкция полевых транзисторов и принципы их работы. Сделан рассчет усилительного каскада на полевом транзисторе по схеме с общим истоком истоком и автоматическим смещением.Выполнено построение нагрузочных прямых по постоянному и переменному току для данной схемы включения.Определены малосигнальные параметры транзистора при таком включении.Рассчитаны элементы эквивалентной схемы.Определены граничная и рабочая частота транзистора.Определены динамические параметры тразистораПроведена оценка нелинейных искажений при выбранном режиме работы.Отсутствует Кu динамический полученный аналитическим способом.ПриложенияТехнические характеристики КП302БТранзистор полевой КП305Рисунок 14Цоколевка транзистора КП305ОписаниеВысокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.Электрические параметрыКрутизна характеристики при UСИ = 7 В, Uзи = 0 В, f = 50...15000 Гц, не менее:Т = +25°С:КП302А1 5мА/ВКП302Б1, КП302Г1 7мА/ВТ = +100СКП302А1 2,5мА/ВКП302Б1, КП302Г1 3мА/ВТ = -60СКП302А15мА/ВКП302Б1, КП302Г17мА/ВНапряжение отсечки при UСИ = 7 В, Iс = 10 мкА,Т = +25 С, не более: КП302А15ВКП302Б1, КП302Г17 ВКП302В110 ВКоэффициент шума при UСИ = 8 В, f = 1 кГц, Rr = 1 кОм: КП302А10,6*...0,93*...3*дБВремя включения3*...3,5*...4*нсВремя выключения4*...4,5*...5* нсНачальный ток стока при Т = +25 С:КП302А1 при UСИ = 7 В, Uзи = 0 В3...24 мАКП302Б1 при UСИ = 7 В, UЗИ = 0 В18...43 мАКП302В1 при Ucи = 10 В, Uзи = 0 В,33мАКП302Г1 при Ucи = 7 В, Uзи = 0 В15...65 мАТок утечки затвора при Uзи = 10 В, не более: при Т = +25°С и Т = -60°С10 нАпри Т = +100°С5 мкАОбратный ток перехода затвор-сток при Uзс = 20 В, Т = +25°С. не более1мкАСопротивление сток-исток при Ucи = 0,2 В, Uзи = 0 В, не более:Т = +25“С:КП302Б1, КП302Г1 150ОмКП302В1 100 ОмТ = +100°С: КП302В1 200ОмТ = -60 С: КП302В1 100ОмВходная емкость при Ucи = 10 В, Т = +25°С, нс более:КП302А1 при Iс = 3 мА20 пФКП302Б1, КП302Г1 при Iс = 18 мА 20 пФКП302В1 при Iс= 33 мА 20 пФПроходная емкость при Ucи = 10 В, Т = +25 С, нс более:КП302А1 при Iс = 3 мА8пФКП302Б1, КП302Г1 при Iс = 18 мА 8пФКП302В1 при Iс = 33 мА 8пФПредельные эксплуатационные данныеПостоянное напряжение сток-исток20ВПостоянное напряжение затвор-сток20ВПостоянное напряжение затвор-исток:КП302А1, КП302Б1, КП302Г1 10ВКП302В112ВПостоянный ток стока:КП302А1 24мАКП302Б1 43мАПостоянный ток затвора6мАПостоянная рассеиваемая мощность приТ = -60...+25°С 300мВтТемпература окружающей среды-60...+100°СПри Т = +25...+100°С постоянная рассеиваемая мощность определяется из выражения Рмакс = 300-2(Т-25), мВтКП302Uси max. BUзи max. BIс max. АPси max. ВтUзи пор[отс.]. BS ma/Bfгр. МгцRси отк. ОмАМ20100.0240.3[1-5]5-12.5––БМ20100.0430.3[2.5-7]7-14–<150ВМ2012–0.3[3-10]––<100ГМ2010–0.3[2-7]7-14.5–<150Усилительный каскад на полевом транзисторе с общим истокомЛист1Выходные характеристики транзистора КП302БЛист 2Определение малосигнальных параметров КП302БЛист3 Нагрузочная прямая по переменному токуЛист 4Определение нелинейных искаженийЛист 5Эквивалентная схема транзистора КП302БЛист 6Сквозная характеристика транзистора КП302БЛист7Определение коэффиентов усиленияЛист8
1. Атабеков, Г И. «Основы теории цепей.» учебник. М: СПб Лань, 2008.
2. «Википедия.» https://ru.wikipedia.org/wiki/Графен. 2020.
3. Гусев, В Г; Гусев, В М. «Электроника и микропроцессорная техника.» Учеб. для вузов. М: Высш. шк., 2008. 798 с.