Методы исследования структуры полупроводниковых кристаллов
Заказать уникальный реферат- 16 16 страниц
- 9 + 9 источников
- Добавлена 07.05.2022
- Содержание
- Часть работы
- Список литературы
- Вопросы/Ответы
2. Глава 1. Рентгеноструктурный анализ. Историческая справка…………………….................4
3. Глава 2. Метод Лауэ……………………………………………………………………………...5
4. Глава 3. Рентгенограммы вращения………………………………………………….................7
5. Глава 4. Метод Дебая – Шеррера……………………………………………………………..…9
6. Глава 5. Рассеяние под малыми углами……………………………………………………….11
7. Заключение……………………………………………………………………………………...13
8.Список литературы……………………………………………………………………………...14
В случае порошкообразного образца порошок либо насыпается в тонкий стеклянный капилляр, либо наклеивается на тонкую стеклянную нить.На фотоплёнке, свернутой цилиндром вокруг образца, изображение (дебаеграмма) получается в виде колец(рис. 4.2).Обычные размеры образца: длина – 5-8 мм; толщина - ~0,5 мм.Из эксперимента определяют углы дифракционных линий и оценки яркости дифракционных рефлексов. Далее по формуле Вульфа — Брэгга :2sindθ=λ находят межплоскостные расстояния. Затем при помощи дифракционных баз данных определяется вещество, от которого получена данная дифракционная картина. Это могут быть обычные справочники или компьютерные базы данных. На рис. 4.2 представлены образцы трех типичных дебаеграмм.Рис. 4.2. Рентгенограммы трех типов кристаллических решеток: а — примитивная кубическая решетка, поликристалл ReO3; б — объемноцентрированная кубическая решетка, поликристалл W; в — гранецентрированная кубическая решетка, поликристалл NiПри индицировании дебаеграмм обычно используется следующее правило. Каждой линии на рентгенограмме в порядке увеличения угла дифракции присваивается номер N. Этот номер является суммой квадратов индексов Миллера [5].Основные применения порошковых рентгенограмм:Рентгеновский анализ:Определение качественного состава образцаПолуколичественное определение компонентов образцаОпределение кристаллической структуры вещества:Прецезионное определение параметров элементарной ячейкиОпределение расположения атомов в элементарной ячейке (полнопрофильный анализ-метод Ритвельда)Определение размера кристаллитов (области когерентного рассеяния) поликристаллическогообразцаИсследование текстуры в поликристаллических материалахИсследование фазового состава вещества и изучение диаграмм состояния, оценка размера кристалликов в образце, точное определение констант решетки, коэффициента теплового расширения, анализ минералов[8].Глава 5. Рассеяние под малыми угламиМетод малоуглового рассения - разновидность дифракционного метода исследования неоднородностей в структуре вещества путём анализа распределения интенсивности упругого когерентного рассеяния монохроматичного излучения, проходящего через образец. В случае хаотичного расположения рассеивающих неоднородностей в образце картина малоуглового рассеяния (МУР) является аксиально-симметричной с максимумом вблизи направления падающего пучка. Вид кривой интенсивности МУР зависит от размеров неоднородностей, их формы и особенностей взаимного расположения. В данном методе используется излучение с разными длинами волн λ, позволяющее изучать неоднородности в широком диапазоне размеров. Рентгеновское излучение (λ=0,05–0,5 нм) выявляет неоднородности размером 0,5–200 нм, излучение видимого диапазона длин волн – от десятков нанометров до миллиметров, тепловые нейтроны (длина волны де Бройля 0,05–1 нм) – от 0,5 до 500 нм.Так как распределение интенсивности рассеянного излучения измеряется под малыми углами, основное требование к экспериментальной технике (близкой по устройству к дифрактометрам для порошковой дифракции) заключается в создании достаточно узкого нерасходящегося пучка первичного излучения. Использование специальной коллимационной системы позволяет проводить измерения интенсивности рассеянного излучения при удалении в несколько угловых минут (и до 5–10°) от направления падающего излучения. Для регистрации рассеянного излучения используют точечные и линейные позиционно-чувствительные детекторы (основа которых – ионизационные камеры, фоточувствительные пластины, полупроводниковые матрицы) и другие[3].Метод малоуглового рассеяния связан с работами А. Гинье (A. Guinier) по изучению надмолекулярного строения сплавов (1938). В 1950-х гг. Г. Пород (G. Porod), O. Кратки (О. Kratky) и В. Луззати (V. Luzzati) развили теоретические основы метода и разработали принципы конструирования установок для малоуглового рассеяния[5].Рис. 5.1 а — Спектр малоуглового рентгеновского рассеяния белковой молекулы NADPH оксидазы; б — График Гинье, позволяющий определять размерность белковой молекулы NADPH оксидазы.Авторы: R. P. Rambo, G. L. Hura, A. L. Menon, M. Hamel, M.W. Adams, J. A. Tainer.На основе метода малоуглового рассеяния может быть изучена стуктура различных материалов:– строение объектов в растворах;– объемные дефекты в кристаллических веществах;– кластерна структуру жидкостей и аморфных тел;– поры в различных пористых материалах и др. Представленный метод, по сути, является единственным для того, чтобы определить структуру систем с хаотическим расположение неоднородных элементов. Среди подобных систем можно выделить:• биологически активные соединения(рис. 5.1). • полимерные соединения. • жидкости и аморфные тела. • поликристаллические и пористые вещества, сплавы, порошки. [7].ЗаключениеДаже сегодня, анализ с помощью рентгена является наиболее распространённым етодом получения и анализа структуры вещества. Его отличают:– простота;– невысокая стоимость реализации;– возможность применения для любых объектов, т.е. его универсальность.Существует огромное количество методов рентгеноструктурного анализа(от дифрации электронов до малоуглового рассеяния и тд). Особенность данного метода в его возможности определения атомной структуры вещества, которая состоит из пространственной группы элементарной ячейки, а также формы и размеров данного вещества. Фазы структурных амплитуд белковых кристаллов можно определить только в результате совместных усилий рентгенографов и биохимиков. Для решения этой проблемы необходимо получить и исследовать кристаллы самого белка, а также его производных с включением тяжёлых атомов, причём координаты атомов во всех этих структурах должны совпадать.Рентгеноструктурный анализ позволяет устранить негативное влияние на эксплуатационные характеристики приборов, изготовленных на основе кристаллов, а также производить контроль их качества,не разрушая структурное состояние материала, что особенно важно при производстве дорогостоящих кристаллов и различных структур.Список литературы1.Борисов С. В. Рентгеноструктурный анализ - краткая история и итоги первого столетия / С. В. Борисов, Н.В. Подберезская // Журн. структурной химии /Ин-т неорг. химии им. А.В. Николаева CО РАН. - 2012. - Т.53,- С.5-7.2. Большая советская энциклопедия : в 30 т. / гл. ред. А.М. Прохоров. - М. : Сов. энцикл., 1969–1986. – 30 т.3.Большая российская энциклопедия : в 35 т. / гл. ред. Ю. С. Осипов. - М. : Большая российская энциклопедия, 2004-2017. - 35т.4.Романов Д. А. Методы двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и топографии в анализе реальной структуры кристаллов /И. А. Прохоров, А. Э. Волошин, В. Г. Косушкин, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко: учебник для вузов / под ред. Ю. С. Юсфина. - 3-е издание, переработанное и дополненное. - М. : ИКЦ «Академкнига», 2004. - 774 с.5. Суворов Э. В. Дифракционный структурный анализ : учебное пособие для академического бакалавриата. - М. : Издательство Юрайт, 2019. - 272 с. 6. Смирнов В. И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур : учебное пособие . - Ульяновск : УлГТУ, 2012. - 75 с. 7. Свергун, Д. И. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние /Д. И. Свергун, Л. А. Фейгин. - M. : Наука, 1986.- 278с.8. Хмельницкий Р. А. Современные методы исследования агрономических объектов. - М. : Высшая школа, 1981. -61 с.9. Энциклопедия Кругосвет [Электронный ресурс] : универсальная научно-популярная онлайн-энциклопедия : [сайт] / ООО «Кругосвет». - Электрон. дан. - Режим доступа: http://www.krugosvet.ru.
2. Большая советская энциклопедия : в 30 т. / гл. ред. А.М. Прохоров. - М. : Сов. энцикл., 1969–1986. – 30 т.
3. Большая российская энциклопедия : в 35 т. / гл. ред. Ю. С. Осипов. - М. : Большая российская энциклопедия, 2004-2017. - 35т.
4. Романов Д. А. Методы двухкристальной рентгеновской дифрактометрии и топографии в анализе реальной структуры кристаллов /И. А. Прохоров, А. Э. Волошин, В. Г. Косушкин, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко: учебник для вузов / под ред. Ю. С. Юсфина. - 3-е издание, переработанное и дополненное. - М. : ИКЦ «Академкнига», 2004. - 774 с.
5. Суворов Э. В. Дифракционный структурный анализ : учебное пособие для академического бакалавриата. - М. : Издательство Юрайт, 2019. - 272 с.
6. Смирнов В. И. Неразрушающие методы контроля параметров полупроводниковых материалов и структур : учебное пособие . - Ульяновск : УлГТУ, 2012. - 75 с.
7. Свергун, Д. И. Рентгеновское и нейтронное малоугловое рассеяние / Д. И. Свергун, Л. А. Фейгин. - M. : Наука, 1986.- 278с.
8. Хмельницкий Р. А. Современные методы исследования агрономических объектов. - М. : Высшая школа, 1981. - 61 с.
9. Энциклопедия Кругосвет [Электронный ресурс] : универсальная научно-популярная онлайн-энциклопедия : [сайт] / ООО «Кругосвет». - Электрон. дан. - Режим доступа: http://www.krugosvet.ru.
Вопрос-ответ:
Что такое рентгеноструктурный анализ?
Рентгеноструктурный анализ - это метод исследования структуры кристаллов с помощью рентгеновского излучения. С его помощью можно определить параметры решетки, атомные координаты и другие структурные характеристики полупроводниковых кристаллов.
Какой метод используется для исследования структуры полупроводниковых кристаллов?
Для исследования структуры полупроводниковых кристаллов часто используется метод Лауэ, основанный на рассеянии рентгеновского излучения на кристаллической решетке. Этот метод позволяет определить параметры решетки и другие структурные характеристики.
Как работает метод Лауэ при исследовании структуры полупроводниковых кристаллов?
Метод Лауэ использует эффект рассеяния рентгеновского излучения на кристаллической решетке. Когда рентгеновские лучи проходят через кристалл, они рассеиваются под определенным углом. Из анализа распределения рассеянного излучения можно определить параметры решетки и другие структурные характеристики.
Что такое рентгенограммы вращения?
Рентгенограммы вращения - это техника, которая используется для определения ориентации и структуры кристалла с помощью множества рентгеновских изображений, полученных при вращении кристалла. Анализ этих рентгенограмм позволяет определить параметры решетки и другие структурные характеристики полупроводниковых кристаллов.
Что такое метод Дебая-Шеррера?
Метод Дебая-Шеррера - это метод исследования структуры полупроводниковых кристаллов с помощью измерения интенсивности дифракционных пиков в зависимости от угла падения рентгеновского излучения. Из анализа этих данных можно получить информацию о параметрах решетки и других структурных характеристиках.
Какие методы исследования структуры полупроводниковых кристаллов применяются?
Для исследования структуры полупроводниковых кристаллов применяются различные методы, такие как рентгеноструктурный анализ, метод Лауэ, рентгенограммы вращения, метод Дебая Шеррера и рассеяние под малыми углами.
Что такое рентгеноструктурный анализ и как он применяется?
Рентгеноструктурный анализ - это метод исследования структуры кристаллов с использованием рентгеновского излучения. С его помощью можно определить расположение атомов в кристаллической решетке и получить информацию о структурных особенностях материала. Этот метод применяется, например, для определения структур параметров полупроводниковых кристаллов.
Что представляет собой метод Лауэ и в каких случаях его используют?
Метод Лауэ - это метод рентгеноструктурного анализа, при котором кристалл испускает рентгеновское излучение под определенным углом. Этот метод используется для измерения углов расщепления рентгеновских линий в кристаллах и определения ориентационной зависимости структуры кристаллической решетки.
Что такое рентгенограммы вращения и в чем их применение?
Рентгенограммы вращения - это метод рентгеноструктурного анализа, при котором кристалл вращается вокруг оси и регистрируются изменения интенсивности рентгеновских линий. Этот метод применяется для определения пространственной ориентации кристалла и детектирования поверхностных дефектов.
Чем отличается метод Дебая Шеррера от других методов исследования структуры кристаллов?
Метод Дебая Шеррера - это метод рентгеноструктурного анализа, основанный на измерении интерференционных максимумов при дифракции рентгеновского излучения на кристаллической решетке. Этот метод применяется для определения параметров решетки и описания атомного строения полупроводниковых кристаллов.
Что такое рентгеноструктурный анализ?
Рентгеноструктурный анализ - это метод исследования структуры кристаллов с помощью рентгеновского излучения. Он позволяет определить атомное распределение в кристаллической решетке и получить информацию о размерах и форме кристаллов, а также об ориентации исследуемого образца.
Как работает метод Лауэ?
Метод Лауэ - это метод рентгеноструктурного анализа, основанный на измерении отражения рентгеновского излучения от кристаллической решетки. В этом методе используются специальные кристаллы-двойники, которые создают два отражения с одинаковой интенсивностью. Путем анализа этих отражений можно получить информацию о структуре образца, такую как размеры ячейки, ориентация исследуемого кристалла и т. д.